固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。通风和空调 （HVAC） 设备、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而简化了 SSR 设计。还需要散热和足够的气流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以满足各种应用和作环境的特定需求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，